...
机译:4H-SiC肖特基势垒二极管的大反向电流分析
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;
机译:界面陷阱对4H-SiC肖特基势垒二极管电流-电压特性的影响
机译:Padovani-Stratton公式对4H-SiC肖特基势垒二极管反向电流-电压特性分析的有效性
机译:普诺瓦尼 - 斯特拉顿公式的有效性,用于分析4H-SIC肖特基屏障二极管的反向电流 - 电压特性
机译:接口陷阱对4H-SIC肖特基屏障二极管电流电压特性的影响
机译:LabVIEW计划的开发与应用太阳能电池电流电压二极管参数
机译:硅基同质InGaN / GaN蓝色发光二极管反向漏电流特性的显着改善
机译:用热处理改善Ti / 4H-siC肖特基势垒二极管的反向特性
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性