机译:用于基于SrCoO_x的非易失性存储器件的高导电无泄漏电解质
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, Japan,Laboratory for Materials and Structures, Institute of Innovative Research, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori, Yokohama, Japan,PRESTO, Japan Science and Technology Agency, 7, Gobancho, Chiyoda, Tokyo, Japan;
School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N14W19, Kita, Sapporo, Japan;
Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, Japan;
机译:非易失性存储器件中的氧化石墨烯(GO)/还原GO及其与导电聚合物纳米结构薄膜的复合材料
机译:使用无泄漏电解质的基于过渡金属氧化物的功能薄膜器件
机译:纳米结构胶束双嵌段共聚物层影响非易失性有机场效应晶体管存储器件中并五苯分子的存储特性和堆积
机译:实时非易失性存储器分析仪及其在基于NAND闪存的存储设备评估中的应用
机译:使用五氧化二钽作为固体电解质的非易失性电阻存储器(RRAM)中的快速瞬变。
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:具有不同导电性的无泄漏电解质,用于非挥发性 利用srCoOx的绝缘体/金属铁磁体转变的存储器件