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机译:过量载流子对宽带隙半导体中带电缺陷浓度的影响
Natl Renewable Energy Lab, Golden, CO 80401 USA;
Univ Utah, Mat Sci & Engn, Salt Lake City, UT 84112 USA;
机译:无定形宽带凝胶氧化物中高载体浓度的起源:缺陷地层和电子定位在IN_2O_(3-x)中的作用
机译:通过缺陷准费米能级控制减少宽带隙半导体中的点缺陷
机译:十八型功能单层金属氧化物:具有优异的抗氧化性和超高载体移动的宽带隙半导体
机译:用于宽带隙半导体中的载流子浓度的非接触式拉曼微穴位,非破坏性测量
机译:宽带隙金属氧化物半导体的电缺陷与器件性能的相关性
机译:通过过量载流子抑制半导体加工过程中自然缺陷的形成
机译:管理半导体中带电缺陷的超级单元近似值:有限尺寸缩放,电荷校正因子,带隙问题和从头算介电常数
机译:半导体中过量载流子浓度衰减的理论