机译:考虑漏极和栅极偏置电压的有机薄膜晶体管的恢复感知偏压劣化模型
Kyoto Univ Grad Sch Informat Dept Communicat & Comp Engn Kyoto 6068501 Japan;
Nara Inst Sci & Technol NAIST Grad Sch Sci & Technol Nara 6300192 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Natl Inst Adv Ind Sci & Technol Tsukuba Ibaraki 3058565 Japan;
Kyoto Univ Grad Sch Informat Dept Communicat & Comp Engn Kyoto 6068501 Japan;
机译:柔性塑料基板上低压p沟道和n沟道有机薄膜晶体管的偏压应力稳定性
机译:应用负漏极偏压抑制非晶InGaZnO薄膜晶体管中负栅极偏压引起的退化和照明应力
机译:漏极偏压对非晶InGaZnO薄膜晶体管中负栅极偏压和照明应力引起的退化的影响
机译:栅极和漏极偏置对柔性有机薄膜晶体管偏置应力稳定性的影响
机译:用于高性能和低压薄膜晶体管的新型介电材料:有机-无机混合混合物和多层。
机译:钝化层对非晶InGaZnO薄膜晶体管正栅极偏置-应力稳定性的影响
机译:有源矩阵有机发光二极管显示器中非晶硅薄膜晶体管漏极偏压的阈值电压漂移依赖性建模