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机译:氮化镓高电子迁移率晶体管中近阈值低离子击穿电压的机理和增强
Indian Inst Technol Madras Dept Elect Engn Chennai 600036 Tamil Nadu India;
DRDO Res & Innovat Ctr Chennai 600113 Tamil Nadu India;
Indian Inst Technol Madras Dept Elect Engn Chennai 600036 Tamil Nadu India;
机译:氮化镓高电子迁移率晶体管中近阈值低截止态击穿电压的机理和增强
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:利用AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的场板和低密度漏极改善截止态击穿电压
机译:通过背面质子辐照增强AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管截止态漏极击穿电压
机译:研究氮化镓,氮化铝镓和氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管中的电活性缺陷
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:AlGaN / GaN高电子迁移晶体管中击穿电压增强的蜿蜒栅极边缘