日本研究者在氮化镓p-n二极管中实现4.7kV击穿电压

摘要

<正>日本研究者在基于自立式氮化镓衬底上制造出的垂直结构的氮化镓p-n二极管中实现突破性水平的击穿电压和较低的导通电阻。这一产品采用三层漂移结构。其中,靠近p型氮化镓的漂移层结构采用轻掺杂方法,以抑制p-n结的峰值场,支持更高的电压。第二层经适度掺杂,可以降低导通电阻。研究者团队来自日本法政大学,Quantum Spread公司,Hitachi Metal subsidary Sciocs公司,他们在设计器件时采用的是2英寸自立式氮化镓衬底,采用