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机译:基于体氮化镓的垂直功率p-n二极管
, Avogy Inc., San Jose, CA, USA;
Carbon; Doping; Gallium nitride; Silicon; Substrates; Temperature measurement; Bulk GaN; electron mobility; p-n diode; vertical power semiconductors; vertical power semiconductors.;
机译:基于垂直GaN p-n二极管的自供电快速响应X射线探测器
机译:从块状GaN衬底上外延剥离的高压垂直GaN p-n二极管
机译:垂直至氮化镓p-n二极管和结型场效应晶体管在低温下的低温下表征
机译:块状GaN衬底上的高压极化感应垂直异质结p-n结二极管
机译:垂直GaN P-N二极管中的缺陷介导的载波传输机制
机译:4英寸硅衬底上的高功率基于GaN的垂直发光二极管
机译:离子植入物隔离垂直GaN P-N二极管,由GaN基板(Phys.Tudy Solidi A 4/2019)制成外延升降机
机译:FY2016体积GaN衬底上垂直氮化镓功率肖特基二极管的制备与表征。