机译:蜿蜒的栅极边缘可增强AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的击穿电压
机译:通过优化栅极场板结构,AlGaN / GaN高电子移动晶体管中的击穿电压增强
机译:增强模式p-GaN栅极AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的正向偏置栅极击穿机制
机译:通过背面质子辐照增强AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管截止态漏极击穿电压
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:在ALN / Sapphire模板上的薄通道AlGaN / GaN高电子移动晶体管中的高横向击穿电压