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机译:在MgO(001)邻近衬底上生长的立方GaN台阶结构和立方InN点阵列的生长温度依赖性
Saitama Univ, Grad Sch Sci & Engn, Sakura Ku, 255 Shimo Okubo, Saitama 3388570, Japan;
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机译:立方GaN步骤结构的生长温度依赖性和在MgO(001)邻近基板上生长的立方GaN步骤结构和立方inn圆点阵列
机译:通过两步c-GaN缓冲层在MgO(001)衬底上RF-MBE生长立方AlN
机译:RF-MBE在YSZ(001)邻近衬底上生长立方InN薄膜
机译:MgO(001)邻近衬底上立方InN点阵列的自组织生长
机译:六方氮化硼/石墨烯异质结构,六方氮化硼层和立方氮化硼纳米点的分子束外延生长
机译:在原始GaN(0001)衬底上生长的GaN / AlN超晶格中应变弛豫的特殊性:XRD和AFM的比较研究
机译:si(001)上V型沟槽硅衬底 - 立方相GaN上GaN的纳米级空间相位调制,用于单片集成
机译:立方GaN薄膜中生长,氮空位降低和固溶体形成及随后使用alN和InN制备超晶格结构。