机译:3C-碳化硅中硼和铝缺陷的第一性原理X射线光电子能谱结合能移动计算
Keio Univ, Fac Sci & Technol, Kohoku Ku, Yokohama, Kanagawa 2238522, Japan|SUMCO Corp, Technol Div, Imari, Saga 8494256, Japan;
Keio Univ, Fac Sci & Technol, Kohoku Ku, Yokohama, Kanagawa 2238522, Japan;
机译:3C-碳化硅中氮和磷缺陷的X射线光电子能谱结合能转移的第一性原理计算
机译:X射线光电子能谱对3C-碳化硅氮和磷缺陷的X射线光电子能谱能量变化的第一原理计算
机译:X射线光电子能谱分析硅晶体中硼缺陷的第一性原理研究
机译:硅晶体中砷缺陷的第一原理核心型X射线光电子能谱计算
机译:使用X射线光电子能谱,俄歇电子能谱,电子能量损失能谱和低能电子衍射来表征氧化铝的电子和几何结构。
机译:大麦根中铝离子的X射线光电子能谱表面分析
机译:硅晶体砷缺陷X射线光电子谱的核心水平移位:一项研究