机译:硅晶体砷缺陷X射线光电子谱的核心水平移位:一项研究
机译:用B1的核级X射线光电子能谱鉴定硅晶体中的硼团簇:第一性原理研究
机译:X射线光电子能谱分析硅晶体中硼缺陷的第一性原理研究
机译:硅晶体中砷缺陷的第一原理核心型X射线光电子能谱计算
机译:硝酸与氯化钠反应的X射线光电子能谱研究:水,表面缺陷和X射线的影响。
机译:近环境压力X射线光电子能谱清洁铜改性多晶上甲烷诱导的碳沉积研究镍材料
机译:发行商注意事项:“用于副0.1μm互补金属氧化物半导体栅极氧化物堆叠的”HFO2 / SiO2接口的热稳定性:软X射线光电子能谱“的价带和定量核心水平研究”J。苹果。物理。 96,6362(2004)