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机译:等离子体辅助分子束外延生长高电子迁移率晶体管的4H-SiC(0001)上GaN缓冲层的结构特性
Materials Department and Electrical and Computer Engineering Department, University of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, U.S.A.;
gallium nitride; high electron mobility transistor (HEMT); molecular beam epitaxy (MBE);
机译:用于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的SiC衬底上通过氨分子束外延生长的GaN缓冲层的结构和形态学特性
机译:AlN缓冲层对等离子辅助分子束外延生长在Al_2O_3衬底上GaN外延层的结构和光学性能的影响
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:用于通过分子束外延生长的高电子迁移率晶体管的砷化铟/锑化铝材料的工艺模型。
机译:N极InAlN势垒高电子迁移率晶体管的等离子体辅助分子束外延
机译:RF等离子体辅助分子束外延在中温GaN缓冲层上生长的高迁移率GaN外延层
机译:分子束外延生长的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中陷阱的光电离光谱;杂志文章