机译:用于纳米级互补金属氧化物半导体技术的新型氮掺杂镍自铝硅化物工艺
Department of Electronics Engineering, Chungnam National University, 220 Gung-Dong, Yuseong-gu, Daejeon 305-764, Korea;
nickel silicide; thermal stability; 1-nitrogen doped nickel; CMOSFETs; post-silicidation annealing;
机译:双金属栅极技术,具有金属插入的全硅化物叠层和富镍的全硅化物栅电极,使用单个富镍的全硅化物相用于规模化的高k互补金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:硅化镍对纳米级互补金属氧化物半导体技术衬底掺杂剂的依赖性
机译:采用完全硅化和最终的隔离工艺技术,极大地改善了45 nm甚至超过互补金属氧化物半导体场效应晶体管的性能
机译:用于纳米级互补金属氧化物半导体(CMOS)应用的镍硅化物的最佳Ni / Co厚度提取和两步快速热处理
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机译:通过覆盖层的氧化作用进行低温处理的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:互补金属氧化物型纳米级过渡 - 金属氮化物薄膜的沉积沉积代言应用
机译:msFC互补金属氧化物半导体(包括多级互连金属化)工艺手册