机译:采用完全硅化和最终的隔离工艺技术,极大地改善了45 nm甚至超过互补金属氧化物半导体场效应晶体管的性能
VLSI Technology Laboratory, Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan;
fully silicided metal gate; strain engineering; ultimate spacer process;
机译:双金属栅极技术,具有金属插入的全硅化物叠层和富镍的全硅化物栅电极,使用单个富镍的全硅化物相用于规模化的高k互补金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:使用第二接触蚀刻停止层工艺对65 nm完全硅化物互补金属氧化物半导体场效应晶体管进行有效迁移率提高工程
机译:用于大规模集成互补金属氧化物半导体技术的绝缘体金属氧化物半导体场效应晶体管上非对称掺杂高性能硅的仿真
机译:下世纪45至32纳米金属氧化物半导体场效应晶体管的国家项目
机译:硅互补金属氧化物半导体量子阱场效应晶体管的传输特性。
机译:磁性微传感器具有两个磁场效应晶体管使用商业互补金属氧化物半导体工艺制造
机译:下世纪45至32纳米金属氧化物半导体场效应晶体管的国家项目
机译:采用自对准硅化物技术制作的金属氧化物半导体场效应晶体管