首页> 外文OA文献 >Complementary MetalOxideSemiconductor Compatible Deposition of Nanoscale Transition-Metal Nitride Thin Films for Plasmonic Applications

【2h】

Complementary MetalOxideSemiconductor Compatible Deposition of Nanoscale Transition-Metal Nitride Thin Films for Plasmonic Applications

机译：互补金属氧化物型纳米级过渡 - 金属氮化物薄膜的沉积沉积代言应用

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者

展开▼
作者单位

展开▼
年度 -1
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Thermodynamic analysis for growth of transition-metal nitride thin films by pulsed laser deposition [J] . Lee Myung-Bok Journal of Ceramic Processing Research. (Text in English) . 2018,第2期

机译：脉冲激光沉积的过渡金属氮化物薄膜生长热力学分析
2. Texture evolution of transition-metal nitride thin films by ion beam assisted deposition [J] . C.-H. Ma, J.-H. Huang, Haydn Chen Thin Solid Films . 2004,第2期

机译：离子束辅助沉积过渡金属氮化物薄膜的织构演变
3. Plasmonic properties of titanium nitride thin films prepared by ion beam assisted deposition [J] . Zhang Lin-Ao, Liu Hao-Nan, Suo Xiao-Xia, Materials Letters . 2016,第deca15期

机译：离子束辅助沉积法制备氮化钛薄膜的等离子体性能
4. Optimum low-gate-field and high-gate-field stability of amorphous silicon thin-film transistors with a single plastic-compatible gate nitride deposition process [C] . Hekmatshoar B., Wagner S., Sturm J.C. Device Research Conference: Conference Digest . 2009

机译：通过单一的塑料兼容栅极氮化物沉积工艺，非晶硅薄膜晶体管的最佳低栅极场和高栅极场稳定性
5. Metalorganic chemical vapor deposition of indium nitride and indium gallium nitride thin films and nanostructures for electronic and photovoltaic applications. [D] . Mangum, Joshua L. 2007

机译：用于电子和光伏应用的氮化铟和氮化铟镓薄膜以及纳米结构的金属有机化学气相沉积。
6. Effect of Sample Elevation in Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (RF PECVD) Reactor on Optical Properties and Deposition Rate of Silicon Nitride Thin Films [O] . Mateusz Œmietana, Robert Mroczyński, Norbert Kwietniewski 2014

机译：射频等离子体增强化学气相沉积（RF PECVD）反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
7. A Platform for Complementary Metal‐Oxide‐Semiconductor Compatible Plasmonics: High Plasmonic Quality Titanium Nitride Thin Films on Si (001) with a MgO Interlayer [O] . Kai Ding, Dhruv Fomra, Alexander V. Kvit, 2021

机译：互补金属氧化物半导体兼容等离子体的平台：用MgO中间夹层Si（001）的高压质量氮化钛薄膜

Complementary MetalOxideSemiconductor Compatible Deposition of Nanoscale Transition-Metal Nitride Thin Films for Plasmonic Applications

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅