机译:采用0.13μm互补金属氧化物半导体技术的拉伸应变Si /压缩应变SiGe双通道晶体管的优化Si-Cap层厚度
Institute of Microelectronics and Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, No. 1 Ta Hseuh Road, Tainan, Taiwan, R.O.C.;
tensile-strained Si; compressively strained SiGe; dual channel;
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管技术中应变Si /松弛SiGe层中的位错对n〜+ / p结的影响
机译:在互补金属氧化物半导体技术中采用2.0 nm栅极氧化物增强应变的p沟道金属氧化物半导体晶体管的热孔诱导降解
机译:用局部应变的O〜+离子诱导弛豫技术制备的弹道互补金属氧化物半导体晶体管的具有弛豫/应变层的突然横向源异质结构
机译:Si / SiGe异质结互补金属氧化物半导体晶体管的设计
机译:蓝宝石上硅(SOS)上的硅锗互补金属氧化物半导体场效应晶体管的设计,表征和轮廓优化。
机译:厚度调制半导体到砷中金属跃迁的无掺杂砷异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层
机译:金属氧化物半导体/ mOs /晶体管研发计划。第二部分 - 稳定互补mOs场效应晶体管的开发最终报告,3月 - 1965年11月