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机译:带有和不带有薄自然氧化物层的n型GaN表面上Ni / Au触点的电子传输和肖特基势垒高度
Institute of Photonics, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan, Republic of China;
GaN; schottky barrier height; thermionic field emission; thermionic emission; surface treatment;
机译:Au / N型Si肖特基势垒接触和Au污染和热氧化的N型Si(001)表面的氧化动力学
机译:p型GaN上Ni接触的电子传输和肖特基势垒高度
机译:在p-GaN上退火的Au / Ni触点中的电结构演变和肖特基势垒高度
机译:在N型GaN肖特基势垒二极管上的氧化Ni / Au和Ni透明导电氧化物(TCOS)的参数提取,具有偏置依赖阻挡高度和不同温度的理想因子
机译:自然点缺陷和表面化学反应在氧化锌中形成肖特基势垒和高n型掺杂中的作用。
机译:通过原位GaN纳米点形成生长的Au / HVPE a平面GaN模板形成的肖特基二极管的电子传输机制
机译:Ni / n型Ge和Ni / n型Gesn肖特基势垒高度的比较研究