...
机译:选择性区域生长技术分析Inp和Inas金属有机气相外延的表面反应动力学
surface kinetics; metalorganic vapor phase epitaxy; selective area growth; inp; inas;
机译:Inp和Inas金属有机气相外延的选择性区生长技术非线性动力学分析。
机译:选择性区域金属有机气相外延法制备InP / InAs / InP核-多壳异质结构纳米线
机译:带有薄GaAs夹层的金属有机气相外延在平面InP(1 0 0)上InAs量子点生长
机译:通过在金属有机气相外延的不同帽层生长速率调节inaS / InP(001)量子点发射从1.55至2μm
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:选择性区域金属有机气相外延法制备InP / InAs / InP核-多壳异质结构纳米线
机译:金属有机气相外延生长垂直腔面发射激光器