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机译:低电子温度微波等离子体氮化形成氮氧化硅薄膜中氮原子的深度分布
Management of Science and Technology, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
rnSPA Development and Engineering, Tokyo Electron AT Ltd, Amagasaki, Hyogo 660-0891, Japan;
rnSPA Development and Engineering, Tokyo Electron AT Ltd, Amagasaki, Hyogo 660-0891, Japan;
rnNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
rnNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
rnManagement of Science and Technology, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
rnNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
rnNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan WPI Research Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
机译:自由基氮化形成氮氧化硅薄膜中氮深度分布和化学键态的控制
机译:通过自由基氮化形成氮氧化硅/ Si(100)界面附近的氮深度分布的控制
机译:快速热氧化结合微波激发等离子体氮化法生长的氮氧化硅薄膜中的陷阱辅助漏电流传导
机译:微波激发氮等离子体氮化制备氮氧化硅薄膜的异常泄漏电流。
机译:活性氮中硅的热氮化(薄介电体,等离子体处理,超大型材料,氮化硅,氧化硅)
机译:氢和氮在生物活性非晶态氮氧化硅薄膜表面化学结构中的作用
机译:等离子体增强化学气相沉积沉积氮化硅和氮氧化硅薄膜的材料结构和机械性能
机译:使用电子回旋共振等离子体形成氮化硅和氮氧化物膜