机译:线性阴极磁控溅射大面积生长面内取向(1120)ZnO薄膜
OMRON Corporation, Kizugawa, Kyoto 619-0283, Japan Faculty of Engineering, Doshisha University, Kyotanabe, Kyoto 610-0321, Japan;
rnNagoya Institute of Technology, Nagoya 466-8555, Japan;
rnFaculty of Engineering, Doshisha University, Kyotanabe, Kyoto 610-0321, Japan;
rnFaculty of Engineering, Doshisha University, Kyotanabe, Kyoto 610-0321, Japan;
rnOMRON Corporation, Kizugawa, Kyoto 619-0283, Japan;
rnOMRON Corporation, Kizugawa, Kyoto 619-0283, Japan;
rnOMRON Corporation, Kizugawa, Kyoto 619-0283, Japan;
机译:射频磁控溅射在MEMS应用中不同衬底上高电阻率c轴取向ZnO薄膜的生长和表征
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机译:Zn靶的反应磁控溅射中金属模式和氧化物模式对Al /玻璃衬底上异常c轴平行取向ZnO薄膜生长的影响
机译:中空阴极溅射直流等离子体磁控管溅射对平板玻璃生长薄膜阳极效应的影响及不同条件下锌膜溅射铜膜的光学性能研究
机译:使用不平衡磁控溅射制造适用于薄膜晶体管的掺镓ZNO薄膜。
机译:不同生长角度的射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学性质
机译:反应磁控溅射和非挥发性前驱体的等离子体分解制备的Eu:ZnO薄膜的阴极和离子发光