首页>中文会议>其他>第四届全国氧化锌学术会议

第四届全国氧化锌学术会议

召开年：2009
召开地：长春
出版时间： 2009-08-13

主办单位：中国物理学会

会议文集：第四届全国氧化锌学术会议论文集

会议论文

热门论文

全部论文

全选（0）

1.阴极电沉积ZnO薄膜的取向控制生长
- 柳文军;曹培江;贾芳;朱德亮;马晓翠;吕有明
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：随着取向的不同，ZnO薄膜在许多性质方面都表现出较大差别，因此在生长过程中控制ZnO薄膜的取向对于其实际应用是非常重要的。目前文献报道的用各种物理或化学方法制备的择优取向ZnO薄膜基本上都是沿c轴(<002>轴)生长的。本文采用阴极电沉积方法，在Zn(NO3)2+KNO3的混合水溶液中，以304不锈钢(ss)为衬底制备了沿小同晶向择优取向生长的ZnO溥膜。
2.缓冲层对Zn1-xMgxO薄膜电学特性的影响
- 夏晓川;赵旺;董鑫;张宝林;杜国同
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在硅和玻璃衬底上生长出了较高质量的Zn1-xMgxO薄膜。二乙基锌(DEZn)和二茂镁(cp2Mg)分别作为Zn源和Mg源，通过高纯A汽的携带输运进入反应室内，高纯氧气作为氧源直接通入反应室内。反应室内的加热系统分为两部分，一部分采用传统的加热丝加热，另一部分选用功率为1500W的高压卤钨灯作光源辅助，灯的强度是通过调节其输入功率来控制的。在MOCVD系统中引入光辅助系统，有利于提高有机源的分解率，并能够改善外延薄膜的质量。本文采用光辅助技术在相同生长条件下在硅和玻璃衬底上制备了三种Zn1-xMgxO薄膜样品。第一种是在衬底上直接生长的样品a，第一种是在具有40nmZnO缓冲层上生长的样品b，最后是在具有20nmMgO缓冲层上生长的样品c。通过低温光致发光、X射线衍和霍尔测试等初步研究了所制备的Zn1-xMbxO薄膜的性质。
3.Eu掺杂六方MgxZn1-xO纳米晶微结构及其光学性质研究
- 李娜;崔海涛;刘玉学;徐长山;刘益春
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：ZnO材料具有大的激子束缚能(约60 meV)，在室温下激子不易被电离，能获得显著的紫外发射，使它在紫外光发射二极管和激光器二极管等光电子器件上具有应用前景。随着能带剪裁工程的日益成熟，人们希望能找到与ZnO晶体结构相同，晶格常数相近，禁带宽度更大的材料，以便与ZnO制成合金材料，这种材料可以与ZnO一起组成异质结、量子阱和超晶格，对材料的发光特证进行调制，MgO即可满足这种要求。MgxZn1-xO合金是一种带隙可调的宽禁带半导体材料，随着合金中Mg的浓度的变化，MgxZn1-xO的禁带宽度可以在3.4-7.5eV之间调节，这种大的带隙变化范围，使制得的半导体激光器可以覆盖从蓝光到紫外的光谱区域，灵活的带隙可调节性可用来作为ZnO/MgxZn1-xO半导体量子阱及超晶格结构的势垒层。
4.直流反应磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜的正交设计
- 别勋;吕建国;叶志镇
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：本文通过正交设计研究了多因素对直流反应磁控溅射ZnO:Ga薄膜光电性能的影响并且分析了不同参数的影响程度。
5.ZnO基p-n结的电注入发光研究
- 杜国同;孙景昌;赵涧泽;梁红伟;边继明;付艳萍;夏小川;赵旺;李香萍;张源涛;董鑫;杨天鹏;朱慧超;张宝林
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：笔者用自行设计加工的ZnO生长专用MOCVD系统，在Si、GaAs、Al2O3衬底上生长ZnO材料异质结，并实现了电注入发光。这些电注入发光均包含ZnO材料侧的可见和紫外发光和Si、GaAs材料侧的近红外发光。由于ZnO是宽带隙材料，只有能量较高的电子-空穴对才能在ZnO侧复合发光，而Si、GaAs衬底材料是窄带隙材料，大部分电子-空穴对均在这侧复合发光。虽然Si是间接带隙材料，但是有声子参加，也可以得到较强的红外发光。所用在这些异质结结构的电注入发光中，Si、GaAs侧的发光强度比ZnO材料侧的可见和紫外发光强度大许多，而ZnO材料在0.4～2μm的波长范围内是透明的，可以制成光波导系统，提供将光源、探测器、调制器、滤波器及相关电路等进行单片集成，因此可以说，这些异质结电注入发光现象的发现为光电集成开辟了新的途径。
6.ZnO基薄膜制备及光电磁特性的研究
- 吕有明;曹培江;朱德亮;贾芳;柳文军;曾玉祥;马晓翠
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：本研究组采用脉冲激光沉积(PLD)、磁控溅射等方法，在石英(SiO2)、单晶硅和有机柔性衬底上制备了掺杂不同元素的ZnO基薄膜功能材料。采用X射线衍射仪(XRD)、俄歇能谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱(PL)、紫外可见分光光度计、霍尔效应、振动样品磁强计等测试手段，开展了对制备样品的结构、光学性能、电学性能以及磁学性能的研究。
7.Se和S与ZnO合金/化的化学状态、晶体结构和物理性能
- 姚斌;潘惠林
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：通过选取合适元素M与ZnO合金化制备Zn-O-M合金化合物，不但可以改变ZnO的禁带宽度使之成为垒层或阱层材料，而且可以通过提高价带项能级位置，降低P型掺杂元素的离化能。近年来，利用阳离子等电子替代制备ZnO合金化合物，如MgZnO，CdZnO，方面的研究工作开展的很多。研究表明，MgZnO合金虽然是理想的垒层材料，但由于Mg掺入使ZnO价带顶能级下移，导致受主离化能增加，不利于P型掺杂。本工作将通过阴离子等电子替代制备ZnO合金，研究这种替代对LnO合金晶体结构和电子结构的影响规律和机制。本工作选取VI主族元素S和Se为合金化元素。利用磁控溅射技术，通过Ar和O2混合气体溅射ZnS或ZnSe陶瓷靶的方法制备Zn-O-M(M=Se，S)合金薄膜。通过改变Ar和O2的比例，改变Zn-O-M的成分。
8.仿生制备具有紫外耐受性的超疏水ZnO@SiO2核壳纳米线阵列及其在紫外遮蔽超疏水织物上的应用
- 张昕彤;王玲玲;刘益春
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：作为一种宽带隙半导体，ZnO具有独特的半导体、光学、压电、焦热电以及紫外遮蔽的多功能性。特别是一维的ZnO纳米线，目前已被广泛的应用于多种领域，例如：电子和光电子器件、气体传感器、场发射器件、太阳能电池和纳米发电机。同时，纤锌矿的ZnO极易沿着(0001)方向生长在任何衬底上，以构成定向排列的纳米线或纳米棒阵列结构，这使得ZnO成为理想的构建超疏水结构的材料。若将超疏水性与ZnO的其他特性，如压电和紫外遮蔽性同时应用于一种材料中，无论其在基础研究还是在实际应用上都将有很好的发展前景。但是，由于ZnO具有光敏性，在紫外光以及日光照射下，ZnO材料表现出极强的光氧化能力和光诱导的超亲水性，从而使其失去超疏水能力。本文采用仿生的层层沉积方法在Zn0纳米线表面共轴包覆了超薄的Si02壳层，成功的构建了紫外光下持久超疏水的Zn0@Si02核壳纳米线阵列结构。
9.锌源温度对MOCVD法生长的ZnO薄膜性质的影响
- 马艳;杜国同;夏晓川;赵旺;王谨;董鑫;张宝林
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：ZnO是近十几年来倍受关注的多功能Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，是可用于制作短波长发光器件、大面积平板显示器件、太阳能电池、气体传感器等的重要材料。目前对于ZnO材料在光电子学领域的研究已经取得许多重要的进展。笔者测试了不同锌源温度下生长的Zn0薄膜室温PL谱，四个样品都显示出明显的带边发光峰。随锌源温度的降低，带边发光峰的强度逐渐增强，其紫外峰的位置依次为3.284eV, 3.284eV,3.293eV和3.296eV，出现了蓝移。在可见光区，锌源温度的降低使深能级发光峰更加显著，带边发光峰和深能级发光峰强度的比值迅速下降，Zn0薄膜的发光质量变差。
10.立方相MgZnO合金薄膜分子束外延生长及光学性质研究
- 梁会力;刘章龙;侯尧楠;梅增霞;郭阳;杜小龙
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：ZnO宽禁带半导体及其合金材料MgZnO，由于其带边共振吸收在紫外波段甚至可扩展到日盲紫外波段(200nm-280nm)，被认为是制作日盲紫外探测器最好的候选材料之一。但是由于MgO和ZnO分别具有盐岩相(Rocksalt)和纤锌矿相(Wurtzite)两种不同的稳定晶体结构，所以MgZnO很难形成连续合金薄膜。本研究工作利用rf-MBE，制备出了立方相MgZnO单晶合金薄膜。其透射谱结果表明，立方相MgZnO材料带隙可以调控到4.960eV，已进入日盲紫外波段。低温光致发光谱说明，由于高密度表面态或杂质缺陷态存在，立方相MgZnO材料带边发射峰非常弱，只能存在带隙内杂质带发光。
11.ZnO导电类型和发光机理的新探索
- 傅竹西;徐小秋;孙利杰;施媛媛
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：目前一般认为ZnO的n性导电源于ZnO中的氧空位(Vo)，它的紫外发光来自自由激子及其声子伴线的发光。本文的研究结果得出了不同的看法。大量实验结果表明，无论是ZnO的n性导电处是它的紫外发光都与ZnO中的锌填隙有关。实验样品采用从美国KMT公司购买的ZnO单晶片，在800℃温度下氮气氛中热扩散掺Zn。XPS测量结果指出，扩散后样品中Zn组分与O组分的比明显增加，说明有更多的Zn进入ZnO中。测量室温下的PL光谱发现紫外光明显增强，同时可见光峰位移动；而霍尔测量数据表明样品中的电子浓度增加，未作任何处理的ZnO单晶的电子浓度为1016，在800℃温度下热扩散zn后样品的电子浓度达到1018。显然，这些变化都与样品中的过量锌有关。
12.ZnO纳米粒子对淡水藻类植物--水绵的影响研究
- 杨志坤;徐长山;塔力哈尔;顾建秀;赵青;王国瑞;刘玉学;刘益春
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：随着纳米科技的飞速发展，纳米材料的应用领域正变得越来越广泛，与此同时纳米材料的生物安全性问题也越来越引起世界各国科学家的广泛关注。本文主要研究了ZnO纳米粒子对淡水中的藻类植物--水绵的影响。实验选取醋酸锌，氢氧化锂作为原料，用溶胶凝胶法在绝对乙醇中制备出粒径为5.7nm的ZnO纳米粒子，再把制备好的ZnO纳米粒子经离心、洗去乙醇后，加入去离子水超声制成浓度不同的ZnO纳米粒子水溶液。再把水绵放入准备好的溶液中培养，定时取样观察。作为对比，另将等量的水绵分别放入去离子水和不同浓度的ZnSO4水溶液中同时培养。
13.无催化剂热蒸发法可控制备ZnO纳米结构
- 栗粟;章晓中
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：本文给出了一种无催化剂直径可控制备小尺寸ZnO纳米线阵列的方法，提出在用自催化气一掖一固机制合成ZnO纳米线的过程中，Zn蒸气过饱和度是决定纳米线直径的关银因素。
14.纳米ZnO形貌调控及介电性质
- 孙朗;李莉萍;李广社
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：ZnO作为一种多功能氧化物有着广泛的应用前景，例如其高达60meV的激子束缚能使其成为理想的半导体发光材料，同时其3.37eV的带隙与TiO2相近使其在的光催化应用方面也吸引了众多的注意力。尤其是稀磁半导体的发现，使ZnO纳米材料在各种电子学器件上的应用更为广泛。多尺度，多形貌ZnO纳米材料的台成以及超结构的组装为其功能器件化奠定了基础。在工作中，本研究合成了具有不同形貌的纳米ZnO颗粒，并在此基础上对其介电性质进行了探索性研究。
15.脉冲激光沉积法制备MgxZn1-xO薄膜及其性能测定
- 朱德亮;陈吉星;曹培江;贾芳;柳文军;马晓翠;吕有明
- 《第四届全国氧化锌学术会议》 | 2009年
摘要：ZnO是一种直接带隙的半导体材料，通过Mg的掺杂可调节其禁带宽度，从而使得MgxZn1-xO成为紫外探测器的重要候选材料。本文采用Mg0.2Zn0.8O陶瓷钯，通过脉冲激光沉积(PLD)法，在单晶Si(100)和石英衬底上生长了MgxZn1-xO合金薄膜。通过X射线衍射(XRJ))、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见分光光度计等手段，研究了不同的衬底温度和工作压强对薄膜样品的晶体结构、微观形貌和光学性质的影响。利用Au作电极，制作成金属一半导体一金属(MSM)型探测器，并对其光响应及IV特性进行测量分析。