机译:SiC(0001)表面硅升华外延生长石墨烯的理论研究
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan;
Faculty of Engineering, The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan;
机译:SiC(0001)表面外延石墨烯生长的理论研究
机译:Si升华梯度在4H-SiC(0001)上进行空间梯度石墨化,以实现高质量的外延石墨烯生长
机译:6H-SiC(0001)邻近表面上外延石墨烯的生长机理:扫描隧道显微镜研究
机译:通过限制控制升华的碳化硅(0001)衬底上的外延石墨烯生长
机译:在碳化硅{0001}表面上形成的外延石墨烯的结构研究。
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:外延石墨烯在邻近6H-siC(0001)表面上的生长机制