...
机译:硅基无凸点晶片技术对多个硅通孔的低温化学气相沉积电介质的抗扩散性
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan;
Dai Nippon Printing, Kashiwa, Chiba 277-0871, Japan;
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, Japan;
The University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan;
机译:在低基板温度下通过等离子体增强化学气相沉积和热线化学气相沉积沉积的薄膜的机械和压阻特性
机译:沉积后退火温度对通过热线化学气相沉积制备的氮化硅电介质多层膜中嵌入的硅量子点的影响
机译:TiN阻挡层的低温MOCVD沉积用于高纵横比通过硅过孔的铜扩散的研究
机译:低温CVD电介质在磁石晶圆(WOW)技术上的低温CVD电介质的应力和扩散电阻
机译:氮化铝和氮化硅的低温热化学气相沉积和催化化学气相沉积
机译:低温等离子体增强化学气相沉积法直接在氧化硅上合成石墨烯
机译:使用新戊硅烷在高速和低温下化学气相沉积硅和硅 - 碳合金
机译:低温下非晶硅的激光光化学生长及热化学气相沉积的比较