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机译:沉积后退火温度对通过热线化学气相沉积制备的氮化硅电介质多层膜中嵌入的硅量子点的影响
Department of Energy Science and Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai 400 076, India;
Department of Energy Science and Engineering, IIT Bombay, Powai, Mumbai 400 076, India;
Si-QP/SiN_x multilayer; raman analysis; photoluminescence;
机译:沉积温度和沉积后退火对氯化氮化硅薄膜硅量子点光致发光的综合研究
机译:沉积温度和沉积后退火对氯化氮化硅薄膜硅量子点光致发光的综合研究
机译:低压化学气相沉积后进行高温退火制成的氮化硅中嵌入的硅纳米晶体的光致发光
机译:通过低温催化化学气相沉积制备的超薄高质量氮化硅栅极电介质
机译:通过热线化学气相沉积制备的低温薄膜硅太阳能电池
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:热线化学气相沉积制备的微晶硅的沉积:沉积参数对材料性能和太阳能电池性能的影响
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响