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机译:TiN阻挡层的低温MOCVD沉积用于高纵横比通过硅过孔的铜扩散的研究
CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble Cedex 9 38054, France,ICube Laboratory (Universite de Strasbourg and CNRS), 23 rue du Loess, B.P. 20, Strasbourg Cedex 2 67037, France;
CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble Cedex 9 38054, France;
CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble Cedex 9 38054, France;
SPTS SAS, Inovallee-Bat B 445, rue Lavoisier, Montbonnot 38330, France;
CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble Cedex 9 38054, France;
SPTS, Ring/and Way, Newport, Gwent NP18 2TA, UK;
SPTS, Ring/and Way, Newport, Gwent NP18 2TA, UK;
SPTS, Ring/and Way, Newport, Gwent NP18 2TA, UK;
SPTS, Ring/and Way, Newport, Gwent NP18 2TA, UK;
ICube Laboratory (Universite de Strasbourg and CNRS), 23 rue du Loess, B.P. 20, Strasbourg Cedex 2 67037, France;
CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, Grenoble Cedex 9 38054, France;
Through Silicon via (TSV); Copper diffusion; Barrier; TiN; MOCVD; Step-coverage;
机译:用于铜扩散阻挡层的氮化钒薄层的低温等离子体增强原子层沉积
机译:高晶种比硅通孔上的金属籽晶层溅射,用于铜填充电镀
机译:宽高比为2:1的用于硅通孔的低温晶圆级保形聚合物介电喷涂层
机译:通过具有原子层沉积阻挡层,种子层和直接镀层的硅通孔进行高深宽比的可靠性测试,以及用于3D集成的电接枝绝缘体,阻挡层和种子层的材料特性表征
机译:化学和物理理解半导体上的扩散阻挡层:(hfac)铜(VTMS)及其在硅(100)-2 x 1和氮化钛碳覆盖的硅上的配体。
机译:通过硅过孔以高纵横比进行超共形的自下而上的钴沉积
机译:什么限制了Al 2 sub> O 3 sub>的低温原子层沉积?振动和频产生研究