法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-11-13
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/29 授权公告日:20091230 终止日期:20120922 申请日:20080922
专利权的终止
2009-12-30
授权
授权
2009-03-25
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-01-28
公开
公开
机译: 硅在扩散阻挡层材料沉积中的原位共沉积,具有改善的润湿性,阻挡层效率和器件可靠性
机译: 半导体器件的金属化系统,铜/硅-连接具有作为阻挡层的材料
机译: 具有过量硅作为扩散阻挡层的氧化硅介电材料