机译:利用极化紫外拉曼光谱测量和校准技术-计算机辅助设计仿真对硅金属氧化物半导体场效应晶体管结构进行机械应力评估
Nano-device Innovation Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukuba, Ibaraki 305-8552, Japan;
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Nano-device Innovation Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukuba, Ibaraki 305-8552, Japan;
Fujitsu Semiconductor Ltd., Akiruno, Tokyo 197-0833, Japan;
Nano-device Innovation Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukuba, Ibaraki 305-8552, Japan;
机译:用拉曼光谱和有限元方法表征4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
机译:使用拉曼光谱和有限元法的4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的应力表征
机译:拉曼光谱法测量32纳米节点互补金属氧化物半导体场效应晶体管中的沟道应变
机译:紫外可见可见拉曼光谱研究的GaN基异质结场效应晶体管中的自热
机译:氮化铝镓/氮化镓金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的器件设计和制造。
机译:偏振相关拉曼光谱法分析有机场效应晶体管器件中并五苯分子的取向
机译:分子动力学模拟在先进金属氧化物半导体场效应晶体管中的等离子体蚀刻损伤
机译:使用微拉曼光谱表征GaN-on-sapphire微机电系统(mEms)结构中的应力