低誘電率（low-k）材料のEELSによる局所構造解析

大塚祐二; 川崎直彦; 清水夕美子; 小川真一

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低誘電率（low-k）材料のEELSによる局所構造解析

机译：低介电常数（低k）材料的EELS局部结构分析

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半導体デバイスの微細化にともない，信号遅延の妨rnげとなる配線間容量を下げる目的で，誘電率の低いrn（low-k）材料を配線間，層間絶縁膜に用いる必要があrnる．

机译：随着半导体器件的小型化，有必要将具有低介电常数的rn（低k）材料用于配线间和层间绝缘膜，以便减小妨碍信号延迟的配线间电容。

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来源
《日本金属学会会报》 |2009年第12期| 637| 共1页
作者
大塚祐二; 川崎直彦; 清水夕美子; 小川真一;
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作者单位

株式会社東レリサーチセンター;

株式会社東レリサーチセンター;

株式会社東レリサーチセンター;

株式会社半導体先端テクノロジーズ;

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