机译:纳米尺度静电效应建模的绿色功能方法完全耗尽双栅极绝缘体金属氧化物半导体场效应晶体管
Guru Gobind Singh Indraprastha Univ Dept Elect & Commun Engn Delhi India;
Amity Univ Sect Noida 125 Hyderabad Andhra Pradesh India;
Guru Gobind Singh Indraprastha Univ Dept Elect & Commun Engn Delhi India;
source-drain curvature; Green's function; double gate;
机译:考虑漏极偏置的全耗尽纳米掺杂双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压建模
机译:自旋金属氧化物半导体场效应晶体管的建模:自旋弛豫的非平衡格林函数方法
机译:接近非平衡格林函数仿真的高性能隧穿场效应晶体管的预测分析模型
机译:基于静电势差的全耗尽型负电容场效应晶体管(NCFET)分析
机译:规模化和部分耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管中噪声机制的仿真。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:绝缘体上硅(sOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(mOsFET's)的总剂量响应