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机译:自旋金属氧化物半导体场效应晶体管的建模:自旋弛豫的非平衡格林函数方法
机译:基于Si的旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管中的旋转传输:旋转漂移效果在反转通道中,N〜+ -SI源/漏区中的旋转弛豫
机译:基于Si的旋转金属氧化物 - 氧化物半导体场效应晶体管的旋转传输:旋转漂移效果在倒置通道中,在N(+) - Si源/漏区中的旋转弛豫
机译:基于磁隧道结技术的新型自旋功能金属氧化物半导体场效应晶体管:伪自旋MOSFET
机译:基于Si的旋转金属氧化物 - 半导体场效应晶体管中的旋转传输:旋转漂移效果在反转通道中,N〜+ -SI源/漏区中的旋转弛豫
机译:基于拓扑绝缘子的异质结构和磁隧道结中弹性和非弹性自旋电荷输运的非平衡格林函数方法
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:自旋金属氧化物半导体场效应晶体管的建模:a 具有自旋弛豫的非平衡格林函数方法
机译:spin-1/2范德华模型的非平衡统计力学。 II。单自旋和长尾的自相关函数