4H-SiC基板上に形成された熱酸化膜の高信頼化技術

摘要

超低損失SiC MOSパワーデバイスの実用化のため，オン抵抗の低抵抗化とともにSiC熱酸化膜の 高信頼化は重要な課題である．我々は，SiC熱酸化膜の高信頼化技術の確立を目指し，SiC熱酸化膜の信頼性に 対するデバイスプロセス及びSiC基板品質の影響について考察した．その結果，SiC MOS界面欠陥の水素終端 処理によりSiC熱酸化膜の信頼性向上を実現した．また，SiCエビタキシァル層内の金属不純物や転位欠陥が SiC熱酸化膜の信頼性を低下させることを見出した．最後に，SiC熱酸化膜の加速寿命試験に用いられる温度と 電界の加速因子について検討した．