公开/公告号CN109536890B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十二研究所;
申请/专利号CN201811644666.5
申请日2018-12-29
分类号C23C14/14(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/58(20060101);
代理机构11257 北京正理专利代理有限公司;
代理人赵晓丹
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路13号
入库时间 2022-08-23 11:37:33
机译: 在衬底上实现纳米物体的有组织网络的方法,包括将包含在膜上的膜孔中的材料沉积在衬底上以在衬底上形成纳米物体的有组织的网络。
机译: 产品用于半导体衬底的多层抗蚀剂图案的方法-在衬底上形成下部抗蚀剂膜,形成中间层,然后形成上部抗蚀剂膜等。
机译: 用于闪存器件的高压区域的栅氧化膜的形成,包括在衬底上暴露的形成区域上形成氧化铝层,并去除衬底上形成的图案,仅留下氧化铝层