机译:高K栅堆叠的电子温度注入电流分析
Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., Tsukuba-shi, 305-8569 Japan;
high-K; gate injection current; simulation; electron temperature;
机译:具有高k /金属栅叠层的纳米级n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子电子散射诱导沟道热电子注入
机译:具有高k /金属栅叠层的纳米级n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子电子散射诱导沟道热电子注入
机译:通过高k栅极堆叠MOSFET进行栅极电流建模,以进行大规模集成逻辑电路分析
机译:高K栅堆叠的电子温度注入电流分析
机译:高K栅极电介质堆叠的电压和温度相关的栅极电容和电流模型
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:通过同步辐射光电子光谱研究的金属/高k栅极堆叠结构中的深度剖面分析