机译:从MIS肖特基二极管的电流电压特性估计直接氮化层和SiC之间的界面态密度
Faculty of Engineering, Shinshu University, Nagano-shi, 380-8553 Japan;
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SiC; nitride; interface; MIS Schottky;
机译:界面陷阱对4H-SiC肖特基势垒二极管电流-电压特性的影响
机译:Au /
机译:在卤化物气相外延生长的n〜--Ga_2O_3漂移层上制造的Pt / Ga_2O_3(001)肖特基势垒二极管的温度相关电容电压和电流电压特性
机译:接口陷阱对4H-SIC肖特基屏障二极管电流电压特性的影响
机译:支持石墨烯界面的基本研究:石墨烯场效应晶体管(FET)中缺陷密度和理想石墨烯 - 硅肖丝狄克二极管
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:从电流-电压和电容-电压特性确定基于Au-TiB2-n-SiC 6H的二极管的肖特基势垒高度