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机译:纳米机电(NEM)非易失性存储单元的分析模型
Department of Electronic Engineer-ins, Sogang University, Seoul, 121-742, Korea;
Department of Electronic Engineer-ins, Sogang University, Seoul, 121-742, Korea;
nano-electromechanical (NEM) non-volatile memory cell; fringe field effect; beam width;
机译:用于低功率电子产品的纳米机电(NEM)非易失性存储器
机译:用于低功率电子产品的纳米机电(NEM)非易失性存储器
机译:用于低功率电子产品的纳米机电(NEM)非易失性存储器
机译:适用于高能效系统的纳米机电(NEM)存储单元
机译:用于非易失性存储应用的肖特基单元存储技术。
机译:低功耗非易失性器件应用中还原氧化石墨烯存储单元的电阻切换行为
机译:非易失性存储器:新的浮栅存储器,具有出色的保持特性(ADV。电子。Matter。4/2019)