Department of Electronic Engineering, Sogang University, Seoul 121-742, Korea;
机译:边缘场对纳米机电(NEM)记忆细胞的影响
机译:尺度效应对纳米机电(NEM)存储单元静摩擦诱发的释放电压偏移的影响
机译:纳米机电(NEM)非易失性存储单元的分析模型
机译:用于高度节能系统的纳米机电(NEM)存储器电池
机译:设计节能且坚固的sram单元和片上高速缓存。
机译:高功能性T细胞受体库在干记忆T细胞中丰富并且在个体之间高度共享
机译:用于微/纳米机电系统的金属微触点的准电气接触行为(MEMS / NEM)