机译:通过RF-MBE方法选择性生长Ti掩模来制造有序InGaN / GaN纳米柱
上智大学 理工学部 〒102-8554東京都千代田区紀尾井町7-1,独立行政法人科学技術振興機構、CREST;
上智大学 理工学部 〒102-8554東京都千代田区紀尾井町7-1,上智ナノテクノロジー研究センター,独立行政法人科学技術振興機構、CREST;
上智大学 理工学部 〒102-8554東京都千代田区紀尾井町7-1,上智ナノテクノロジー研究センター,独立行政法人科学技術振興機構、CREST;
ナノコラム; ナノロッド; ナノワイヤ; 窒化物半導体; 選択成長; 分子線エピタキシー;
机译:利用RF-MBE方法通过Ti掩模选择性生长制备有序阵列InGaN / GaN纳米柱
机译:利用RF-MBE方法通过Ti掩模选择性生长制备有序阵列InGaN / GaN纳米柱
机译:通过RF-MBE方法选择性生长Ti掩模来制造有序InGaN / GaN纳米柱
机译:Ti掩模选择性生长法制备掺Eu的GaN纳米柱
机译:用激光拉曼光谱法评估混合晶体半导体中的原子排列无序和原子间键的研究。
机译:各向异性/角混合多重记录法在纳米颗粒-聚合物复合材料上全息复用的研究