Tiマスク選択成長法を用いたEu添加GaNナノコラムの作製

摘要

Eu添加GaN(GaN:Eu)は希土類イオンの外殻電子によって遮蔽された内殻電子遷移による発光を 利用するため，シャープな発光スペクトルを示し，発光波長が環境温度に依存しないといった特徴 をもつ.これまでにGaN:Euを活性層に用いた赤色LEDが報告されてきたが[1,2]，更なる発光出 力の増大には発光中心となるEu濃度の増加やフォトニック結晶による微小共振器の導入によるパ 一セル効果の利用が求められる.これまでに自己形成GaNナノコラムにEu添加したところ，高 Eu濃度領域における濃度消光を抑制する結果を得て，ナノコラム結晶の優位性を示してきた[3]. Euイオンからの発光特性の均一化ゃフォトニック結晶の活用に向けて，本研究ではTiマスク選択 成長法を用いて規則配列GaN:Euナノコラムの作製を作製したので報告する.