氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

孙莉莉; 薛成山; 艾玉杰; 孙传伟; 庄惠照; 张晓凯; 王福学; 陈金华; 李红

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采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.

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来源
《功能材料》 |2007年第2期|259-260,264|共3页
作者
孙莉莉; 薛成山; 艾玉杰; 孙传伟; 庄惠照; 张晓凯; 王福学; 陈金华; 李红;
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作者单位

山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

济南大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250022;

山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
磁控溅射; 氨化; GaN薄膜; Ti;

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