生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱

摘要

本实用新型公开了生长在Ti衬底上的InGaN纳米柱，包括生长在Ti衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的InGaN纳米柱。本实用新型采用的Ti衬底价格低廉，有利于降低器件成本；其次，本实用新型采用的Ti衬底导电性能好，可以直接作为器件的电极，无需制备欧姆接触电极，简化了器件工艺。本实用新型的InGaN纳米柱晶体质量好，禁带宽度可调，比表面积大，可实现可见光光谱响应，适用于光电解水产氢。