机译:纳米压印光刻技术在柱高超过600 nm的纳米图案蓝宝石衬底上制造的基于InGaN的发光二极管
Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan;
Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan;
Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan;
Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan;
Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan;
Graduate School of Science and Engineering, Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan;
R&D Department, SAMCO Inc., Kyoto 612-8443, Japan;
R&D Department, SAMCO Inc., Kyoto 612-8443, Japan;
R&D Department, SAMCO Inc., Kyoto 612-8443, Japan;
机译:各种图案高度的带图案蓝宝石衬底上基于InGaN的发光二极管的特性
机译:各种图案高度的图案化蓝宝石衬底上基于InGaN的发光二极管的特性
机译:使用高温生长的Ain缓冲剂在蓝宝石衬底上制备高效的基于Ingan的383 nm紫外发光二极管
机译:纳米图案蓝宝石衬底引起的压缩应变以增强基于InGaN的发光二极管的量子限制斯塔克效应的分析
机译:纳米压印光刻和发光器件应用的大面积纳米仪的研究进展
机译:通过软紫外-纳米压印光刻技术对图案化的Al薄膜进行退火处理大规模制造纳米图案化的蓝宝石衬底
机译:通过软紫外-纳米压印光刻技术对图案化的Al薄膜进行退火处理,大规模制造纳米图案化的蓝宝石衬底