制造纳米压印模具的方法、利用由此制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及由此制造的发光二极管

摘要

本发明涉及制造纳米压印模具的方法、使用该纳米压印模具的发光二极管以及制造发光二极管的方法。本发明的制造发光二极管的方法包括：在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层的步骤；在p型氮化物半导体层上形成p型电极的步骤；在p型电极上形成导电基板的步骤；通过去除临时基板而露出n型氮化物半导体层的步骤；在n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层的步骤；通过将纳米压印模具按压在纳米压印抗蚀剂层上来将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上的步骤；将纳米压印模具与具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离开的步骤；以及通过刻蚀具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层的一部分来形成n型电极的步骤。本发明得到了一种制造可以有效地并经济地形成用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法、制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模具的发光二极管。