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【2h】

MBE growth and characterization of InGaN-based films and nanocolumns on Silicon substrates and GaN templates

机译:MBE生长和在硅衬底和GaN模板上的基于InGaN的薄膜和纳米柱的表征

摘要

InN layers: MBE growth issues udGrowth of InN-based thin films: InN/InGaN QWS on GaNudGrowth of InN-based nanorods ud● Self Self-assembled assembled InN InN nanorods nanorods onon different different substrates substrates ud● Self-assembled InGaN nanorods ud● Broad- Broad-emission emission nanostructures ud● Self Self--assembled assembled InGaN InGaN--based based Qdisks Qdisks ud● Selective area growth (SAG) of InGaN Qdisks
机译:InN层:MBE生长问题 ud基于InN的薄膜的生长:GaN上的InN / InGaN QWS ud基于InN的纳米棒的生长 ud●自组装在不同基板上的自组装InN InN纳米棒纳米棒 ud●自组装已组装的InGaN纳米棒 ud●宽发射-宽发射纳米结构 ud●自组装自组装的基于InGaN InGaN的Qdisk Qdisk ud●InGaN Qdisk的选择性区域生长(SAG)

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