45°傾斜ミラーを有する水平共振器型面発光レーザ

摘要

A GaN-based Surface-emitting laser was realized by total internal reflection (TIR) using an inclined mirror formed at one end of the horizontal cavity of an edge-emitting laser. A surface-emitting light output exceeding 10mW was obtained.%水平共振器を有するGaN系半導体レーザの端面を、レーザ光が表面へ全反射するように45°に加工することで、GaN系の面発光レーザを実現した。10mWを超える、既報告のGaN系面発光レーザで最も大きな光出力を得た。