机译:基于GaN和相关氮化物半导体的电子器件
Graduate School of Engineering, University of Fukui 3-9-1 Bunkyo, Fukui 910-8507, Japan;
nitride semiconductors; GaN; InGaN; AlGaN; AlInN; InN; transistors; HEMT; field plate; breakdown voltage; THz frequency; millimeter-wave;
机译:[受邀]基于GaN和相关氮化物半导体的电子器件
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机译:用于光电子材料和器件研究的III-锑化物/氮化物基半导体:LDRD 26518最终报告。
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