カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析

摘要

三元系カルコパイライト型半導体は、多元系という特性のためSiやGeといった元素半導体では得られない有益な物性値を持っている。特に、AgGaSe_2は、バンドギャップ1.8eV、大きな非線形光学係数、赤外域での高い透過率、光吸収係数105cm ~(-1)オーダーというオプトエレクトロニクスデバイス応用に必要な物性値を持つ。本研究では、半導体物性の重要な項目の一つである欠陥準位と基礎物性値の一つである抵抗値の評価を行った。%Ternary chalcopyrite semiconductors have instructive properties that Si and Ge does not have, because of multi element-system. Especially, because of band-gap energy 1.8 eV, large nonlinear coefficient, high infrared transition and large absorption coefficient 10~ 5 cm~(-1), AgGaSe_2 is promised to optoelectronic applications. In this paper, defect levels and resistivity, which is one of the important terms of semiconductor properties, were evaluated.