Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质

李园利; 谢瑞士; 余萍

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Co:CdS半导体纳米晶的合成、晶体结构及光学性质

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利用水相合成技术,以巯基乙酸(MAA)为稳定剂,合成了Co:CdS半导体纳米晶.XRD结果表明,得到的掺杂纳米晶为闪锌矿结构,平均粒径约为3.9 nm;FT-IR结果表明,MAA成功包覆在Co:GdS纳米晶的表面;UV-vis吸收谱表明,Co离子成功掺入CdS品格中;PL结果表明,掺杂离子浓度过大会导致CdS发光淬灭;并讨论了相关机理.

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来源
《广州化工》|2011年第11期|56-58|共3页
作者
李园利; 谢瑞士; 余萍;
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作者单位

四川大学材料科学与工程学院,四川成都610065;

四川大学材料科学与工程学院,四川成都610065;

四川大学材料科学与工程学院,四川成都610065;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
CdS; 掺杂; 半导体纳米晶; 水相合成技术; 光学性质;

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