In 100GbE, a multi-lane LAN-WDM system, in which four 25-Gbit/s light sources with different waveglengths are used for the transmitter, was employed. For beyond 100G LAN applications, it is almost unavoidable to use multi-lane system. At the same time, increasing the data rate of serial lanes is also a very important for reducing the number of lanes and the whole size of the transmitter. Here, we developed 1.3-um EADFB lasers with the modulation speed of over 25-Gbit/s for beyond 100G parallel LAN applications. The EADFB lasers developed here can be operated at the modulation speed of 50-Gibt/s and we obtained very clear eye openings up to 40-km transmission with semi-cooled operation (45 degree Celcius). Furthermore, we fabricated a monolithically integrated light source by integrating four these EADFB lasers and developed an ultracompact TOSA. By using the TOSA, 40-Gbit/s operation per channel was confirmed.%100GbEでは、送信側において、1波当たり25-Gbit/sで動作する光源を4台用いる、マルチレーンLAN-WDM方式が採用されている。将来のポスト100GbEにおいても、マルチレーン方式の採用は必須と考えられるが、その際、1波当たりの伝送速度を向上することも波長多重数を減らし、送信モジュールのサイズを低減する観点から非常に重要と考えられる。我々は、これまでに100GbEへの適用が可能な、25-Gbit/s,1.3um帯電界吸収型変調器集積レーザ(EADFBレーザ)の研究を行ってきたが、ポスト100Gシステムへの適用を目指し、EA変調器部分の更なる高速化設計を行った。試作したEADFBレーザはセミクール駆動(45℃)で、50-Gbit/s動作において40km伝送後まで明瞭なアイ開口を示した。また、EADFBレーザを4台モノリシック集積したチップを作製し、超小型の4ch集積型TOSAを試作し、1チャネルあたり40-Git/sの高速動作を確認したのでそれについても報告する。
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