宽带可调谐激光器与电吸收调制器的单片集成

摘要

光网络正在向高速大容量、良好的扩展性和智能化的方向发展。宽带可调谐器件以及组件将是构建智能光网络的基石。rn 宽带可调谐半导体激光器由于具有可单片集成性、纳秒级的调谐速度、体积小、功耗低等优点,备受关注。本文采用低压金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)选择区域外延和量子阱混杂技术相结合的方法,研制了宽带可调谐激光器和电吸收调制器的单片集成器件,输出功率3.6mW器件的波长调谐范围达30nm,边模抑制比大于30dB,在整个调谐范围内电吸收调制器的消光比大于14dB。