机译:H2退火和多晶硅发射极结构对n-p-n双极结型晶体管HFE的影响
1/f noise; annealing; bipolar transistors; elemental semiconductors; hydrogen; ion implantation; p-n junctions; semiconductor device noise; semiconductor device reliability; semiconductor doping; silicon; H-Si dangling bonds; Si:H; in situ doped polysilicon; n-p-n bip;
机译:H {sub} 2退火和多晶硅发射极结构对n-p-n双极结晶体管的H {sub}(FE)的影响
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机译:快速热退火多晶硅发射极晶体管中的发射极电阻和电流增益。
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管